在碳化硅半导体薄膜双注入区形成短沟道的方法

摘要

一种在碳化硅半导体薄膜双注入区形成短沟道的方法，包括如下步骤：取一碳化硅半导体薄膜，该碳化硅半导体薄膜包括衬底和外延层；在碳化硅半导体外延层上生长一层硅薄膜；在硅薄膜上采用光刻技术获得图形；在图形化的硅薄膜的两侧进行离子注入，形成P阱或者N阱，注入的深度小于碳化硅半导体外延层的厚度，形成样品；对样品进行氧化，形成氧化层，使图形化的硅薄膜的两侧加宽；对氧化后的样品、图形化的硅薄膜的两侧再进行离子注入，形成N+或P+源区，注入的深度小于所述形成的P阱或者N阱的注入深度，该第一次离子注入后的P阱或者N阱的宽度大于再离子注入形成的N+或P+源区的宽度，该差值为所述短沟道。其可减小沟道电阻占器件总电阻的比重，同时具有工艺简单，成本低廉的优点。

主权项

一种在碳化硅半导体薄膜双注入区形成短沟道的方法，包括如下步骤：步骤1：取一碳化硅半导体薄膜，该碳化硅半导体薄膜包括衬底和外延层；步骤2：在碳化硅半导体外延层上生长一层硅薄膜；步骤3：在硅薄膜上采用光刻技术获得图形；步骤4：在图形化的硅薄膜的两侧进行离子注入，形成P阱或者N阱，注入的深度小于碳化硅半导体外延层的厚度，形成样品；步骤5：对样品进行氧化，形成氧化层，使图形化的硅薄膜的两侧加宽；步骤6：对氧化后的样品、图形化的硅薄膜的两侧再进行离子注入，形成N+或P+源区，注入的深度小于步骤4形成的P阱或者N阱的注入深度，该第一次离子注入后的P阱或者N阱的宽度大于再离子注入形成的N+或P+源区的宽度，该差值为所述短沟道。