| 发明名称 | 用于在半导体结构上制造次分辨率对准标记的方法及包含次分辨率对准标记的半导体结构 | ||
| 摘要 | 本发明揭示一种制造包括次分辨率对准标记的半导体结构的方法。所述方法包括在衬底上形成电介质材料及形成至少一个部分延伸到所述电介质材料中的次分辨率对准标记。在所述电介质材料中形成至少一个开口。本发明还揭示包括所述次分辨率对准标记的半导体结构。 | ||
| 申请公布号 | CN101842886B | 申请公布日期 | 2012.07.18 |
| 申请号 | CN200880113750.2 | 申请日期 | 2008.10.08 |
| 申请人 | 美光科技公司 | 发明人 | 戴维·S·普拉特;马克·A·苏尔弗里奇 |
| 分类号 | H01L21/60(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/60(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人 | 沈锦华 |
| 主权项 | 一种制造半导体结构的方法，其包括：在衬底上形成电介质材料；形成至少一个部分延伸到所述电介质材料中的对准标记，使得所述电介质材料的一部分刚好位于所述对准标记下方；及在所述电介质材料中形成至少一个开口。 | ||
| 地址 | 美国爱达荷州 | ||