| 发明名称 | 制造无定形氧化锌半导体层 | ||
| 摘要 | 本公开内容公开了一种制造电子器件的半导体层的方法，包括：液体沉积一种或多种氧化锌前体组合物和从液体沉积的一种或多种氧化锌前体组合物形成主要包括无定形氧化锌的电子器件的至少一个半导体层。 | ||
| 申请公布号 | CN101358339B | 申请公布日期 | 2012.07.18 |
| 申请号 | CN200710138408.5 | 申请日期 | 2007.08.01 |
| 申请人 | 施乐公司 | 发明人 | Y·吴;Y·李;B·S·翁 |
| 分类号 | C23C18/16(2006.01)I;H01L21/368(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I;H01L29/02(2006.01)I;H01L29/22(2006.01)I | 主分类号 | C23C18/16(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 段晓玲;韦欣华 |
| 主权项 | 一种制造电子器件的半导体层的方法，包括：(a)液体沉积一种或多种氧化锌前体组合物；(b)在从高于室温到300℃的最大温度下加热一种或多种氧化锌前体组合物，以从一种或多种氧化锌前体组合物形成主要包括无定形氧化锌的电子器件的至少一个半导体层；和(c)冷却所述至少一个半导体层。 | ||
| 地址 | 美国康涅狄格州 | ||