发明名称 | 半导体装置的制造方法以及半导体表面的微粗糙度减低方法 | ||
摘要 | 本发明提供一种半导体装置的制造方法,其中,为了不向半导体表面照射光而进行遮光并同时利用液体进行表面处理。本发明如果用于半导体表面的清洗、蚀刻、显影等湿式制程(Wet process)的表面处理,则可以减低表面微粗糙度的增大。这样,可以提高半导体器件的电特性或成品率。 | ||
申请公布号 | CN101379597B | 申请公布日期 | 2012.07.18 |
申请号 | CN200780004105.2 | 申请日期 | 2007.01.30 |
申请人 | 国立大学法人东北大学;财团法人国际科学振兴财团 | 发明人 | 大见忠弘;森永均 |
分类号 | H01L21/304(2006.01)I;G01B11/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/304(2006.01)I |
代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 李贵亮 |
主权项 | 一种半导体装置的制造方法,其特征在于,对栅绝缘膜形成前的半导体基板的表面进行清洗或冲洗时,以不使该半导体基板表面照射光的方式进行遮光的状态下,使用超纯水进行清洗或冲洗。 | ||
地址 | 日本国宫城县 |