主权项 |
一种片上自校准高精度带隙基准电路,其特征在于,所述电路包括:电流源(3)、第一可编程电流源(1)、第二可编程电流源(2)、数字逻辑电路(4)、比较器(5)、片外参考电阻(Rref)、片内多晶硅电阻(Rpoly)和阱电阻(Rnwell),所述电流源(3)的一端与所述片外参考电阻(Rref)的一端相连,所述片外参考电阻(Rref)的另一端接地,所述电流源(3)的另一端接电源(VDD);所述第一可编程电流源(1)的一端分别与所述片内多晶硅电阻(Rpoly)的一端和所述数字逻辑电路(4)相连,所述片内多晶硅电阻(Rpoly)的另一端接地,所述第一可编程电流源(1)的另一端接所述电源(VDD),所述片内多晶硅电阻(Rpoly)的一端和所述比较器(5)的正极性端相连;所述第二可编程电流源(2)的一端分别与所述阱电阻(Rnwell)的一端和所述数字逻辑电路(4)相连,所述阱电阻(Rnwell)的另一端接地,所述第二可编程电流源(2)的另一端接所述电源(VDD),所述阱电阻(Rnwell)的一端和所述比较器(5)的正极性端相连;所述参考电平(Vref)和所述比较器(5)的负极性端相连;所述比较器(5)的输出端和所述数字逻辑电路(4)相连;所述数字逻辑电路(4)输出校准码,其中,所述数字逻辑电路(4)具体为逐次逼近数字逻辑电路。 |