II-VI族层叠集成纳米光伏器件及其制备方法

摘要

本发明公开了一种II-VI族层叠集成纳米光伏器件及其制备方法，其中光伏器件的底层为重掺杂硅片(4)，所述重掺杂硅片(4)的上层为PMMA绝缘层(2)，所述PMMA绝缘层内阵列排布有至少一根的II-VI族纳米材料(3)，所述II-VI族纳米材料(3)在垂直PMMA绝缘层(2)平面的方向上穿透PMMA绝缘层(2)，所述电极(1)与至少一根所述II-VI族纳米材料(3)呈欧姆接触。本发明光伏器件制备工艺简单易行，且成本较低，器件性能优越稳定，可用于多种纳米结构硅基异质结光伏器件的制备且可用于大规模集成光伏器件的制备。

主权项

II‑VI族层叠集成纳米光伏器件，其特征在于：所述光伏器件的底层为重掺杂硅片(4)，所述重掺杂硅片(4)的上层为PMMA绝缘层(2)，所述PMMA绝缘层内阵列排布有至少一根的II‑VI族纳米材料(3)，所述II‑VI族纳米材料(3)在PMMA绝缘层(2)表面露出，电极(1)位于所述PMMA绝缘层(2)的表面并且所述电极(1)与至少一根所述II‑VI族纳米材料(3)呈欧姆接触；所述II‑VI族纳米材料(3)为纳米线、纳米带或纳米管；所述II‑VI族纳米材料(3)选自ZnSe、ZnS、ZnO或CdS；所述重掺杂硅片(4)为n‑型掺杂硅片或p‑型掺杂硅片；所述II‑VI族纳米材料(3)为p‑型掺杂II‑VI族纳米材料或n‑型掺杂II‑VI族纳米材料；当所述重掺杂硅片(4)为n‑型掺杂硅片时所述II‑VI族纳米材料为p‑型掺杂II‑VI族纳米材料；当所述重掺杂硅片(4)为p‑型掺杂硅片时所述II‑VI族纳米材料为n‑型掺杂II‑VI族纳米材料；所述电极(1)为Au、Al、ITO、In或石墨烯等。