| 发明名称 | 掺钬氟化钆钇钡晶体及其生长方法 | ||
| 摘要 | 掺钬氟化钆钇钡晶体及其生长方法属于光电子材料技术领域。现有Ho:BaY2F8晶体掺杂浓度低，尺寸小、晶体形貌差。本发明之掺钬氟化钆钇钡晶体属于单斜晶系，以稀土元素钬为激活离子，晶体基质为氟化钆钇钡，掺钬氟化钆钇钡晶体分子式为Ho:BaYGdF8。本发明之掺钬氟化钆钇钡晶体生长方法包括生长料制备、晶体生长以及退火三个步骤。在生长料制备步骤中，提供F、Gd、Y、Ba元素的原料及摩尔比为BaF2∶GdF3∶YF3＝1∶1∶1，确定HoF3为x摩尔，GdF3为(1-x)摩尔，BaF2为1摩尔，其中x的取值范围为0.005mol≤x≤1mol；在晶体生长步骤中，晶体生长工艺参数确定为：提拉速度0.3～0.8mm/h，旋转速度3～10rpm，生长温度880～903℃。 | ||
| 申请公布号 | CN102586870A | 申请公布日期 | 2012.07.18 |
| 申请号 | CN201210057151.1 | 申请日期 | 2012.03.06 |
| 申请人 | 长春理工大学 | 发明人 | 曾繁明;李春;张学建;刘景和;谷亮;林海;张山丽;苗东伟;刘敏时 |
| 分类号 | C30B29/12(2006.01)I;C30B15/00(2006.01)I | 主分类号 | C30B29/12(2006.01)I |
| 代理机构 | 长春菁华专利商标代理事务所 22210 | 代理人 | 陶尊新 |
| 主权项 | 一种掺钬氟化钆钇钡晶体，属于单斜晶系，以稀土元素钬为激活离子，其特征在于，晶体基质为氟化钆钇钡，掺钬氟化钆钇钡晶体分子式为Ho:BaYGdF8。 | ||
| 地址 | 130022 吉林省长春市朝阳区卫星路7989号 | ||