发明名称 |
用于高场MRI线圈的电磁屏蔽 |
摘要 |
一种用于磁共振成像的射频线圈包括限定成像体积的有源线圈元件(70,701,170,270)。该有源线圈元件包括具有第一截面维度(dactive)的第一开口端。屏蔽线圈元件(72,721,722,723,724,725,172,1722,272)基本上环绕在该有源线圈元件周围。该屏蔽线圈元件具有收缩开口端(88),其被设置成与该有源线圈元件的第一开口端相邻近,并且具有比该屏蔽线圈元件的截面维度(dShield)小的收缩截面维度(dconst)。在一些实施例中,该射频线圈还包括显著大于该屏蔽线圈元件(72,721,722,723,724,725,172,1722,272)并且包围该有源线圈元件和屏蔽线圈元件的外部屏蔽线圈元件(100)。 |
申请公布号 |
CN101171526B |
申请公布日期 |
2012.07.18 |
申请号 |
CN200680015497.8 |
申请日期 |
2006.04.19 |
申请人 |
皇家飞利浦电子股份有限公司 |
发明人 |
C·G·卢斯勒;K·卢德克;M·A·莫里克;Z·翟;G·D·德米斯特 |
分类号 |
G01R33/422(2006.01)I |
主分类号 |
G01R33/422(2006.01)I |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 72001 |
代理人 |
李静岚;谭祐祥 |
主权项 |
一种用于磁共振成像的射频线圈,该线圈包括:用于限定成像体积的有源线圈元件(70,701,170,270),该有源线圈元件包括具有第一截面维度(dactive)的第一开口端(74);环绕在该有源线圈元件周围的屏蔽线圈元件(72,721,722,723,724,725,172,1722,272),该屏蔽线圈元件具有收缩开口端(88),该收缩开口端(88)被设置成与有源线圈元件的第一开口端相邻近,并且具有比屏蔽线圈元件的截面维度(dshield)小的收缩截面维度(dconst);和电连接到屏蔽线圈元件(72,721,722,723,724,725,172,1722,272)的一端(74,76)并且从所述端径向地向内延伸的凸缘(90,902,903a,903b,904,905,92,921,922,190,290),该凸缘是轴向可调整的以便调谐该有源线圈元件(70,701,170,270)的共振频率。 |
地址 |
荷兰艾恩德霍芬 |