半导体构造及其制造方法

摘要

一种半导体构造及其制造方法，所述半导体构造包括：基板；多个连接垫，所述连接垫由以锡为主的材料制成，设置于基板的表面上；芯片，所述芯片设置于基板的上方；以及多个凸块，所述凸块设置于芯片的下表面上，并与所述连接垫接合，所述连接垫的熔点高于所述凸块的熔点，且凸块与连接垫之间存在连续的接口。所述制造方法包括在芯片的表面上形成由以锡为主的焊料所制成的多个凸块以及半固化状态的底胶，接着加热熔化基板上的多个连接垫，并使其与未熔化的凸块接合，而在加热压合的过程中，同时加热半固化状态的底胶使其完全固化。采用本发明的半导体构造的制造方法可以以较低的温度实施加热压合步骤从而降低制造过程的难度和损坏芯片的风险。

主权项

一种半导体构造的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括以下步骤：提供芯片，所述芯片的表面上形成有由以锡为主的焊料所制成的多个凸块以及半固化状态的底胶；提供基板，所述基板的表面上设置有多个连接垫，所述连接垫的熔点低于所述凸块的熔点；加热至预定温度以熔化所述连接垫，并使其与未熔化的所述凸块接合；以及使所述半固化状态的底胶完全固化。