金属氧化物半导体晶体管及其制作方法

摘要

本发明提供一种金属氧化物半导体晶体管及其制作方法，通过在半导体基底中的漏极区移除源极轻掺杂区与晕型掺杂区，以增加作为电压可控制电阻时的电阻线性度范围。此外，移除源极轻掺杂区与晕型掺杂是经由逻辑运算层来修改标准MOS工艺的掩模，因此无须使用额外的掩模。

主权项

一种金属氧化物半导体晶体管，用以作为电压可控制电阻，其包含有：栅极；基底，包括沟道区、第一电极区与第二电极区，该沟道区位于该栅极的下方，该第一电极区与该第二电极区分别设置于该沟道区的两侧，第一掺杂区，设置于该第一电极区中；以及第二掺杂区，设置于该第二电极区中，其中，该第一掺杂区与该沟道区相隔第一段区域，该第二掺杂区与该沟道区相隔第二段区域，且该第一段区域及该第二段区域的至多其中之一包括轻掺杂区，其中该第一段区域产生第一阻抗而该第二段区域包括该轻掺杂区，或该第一段区域包括该轻掺杂区而该第二段区域产生第二阻抗，或该第一段区域产生该第一阻抗而该第二段区域产生该第二阻抗，该金属氧化物半导体晶体管利用该第一阻抗或该第二阻抗来作为该电压可控制电阻。