发明名称 |
CMOS图像传感器的制造方法 |
摘要 |
本发明公开一种CMOS图像传感器的制造方法。该方法包括以下步骤:在衬底上形成焊盘之后,涂布氧化物层和氮化物层;通过蚀刻该氧化物层和氮化物层露出并清洗该焊盘;涂布焊盘保护层;执行氢退火工艺;执行微透镜工艺、平坦化工艺以及滤色镜阵列工艺;以及去除焊盘区域的焊盘保护层。从而防止氮化物层的脱落现象和圆形缺陷。 |
申请公布号 |
CN1992203B |
申请公布日期 |
2012.07.18 |
申请号 |
CN200610170117.X |
申请日期 |
2006.12.22 |
申请人 |
东部电子股份有限公司 |
发明人 |
金唇翰 |
分类号 |
H01L21/82(2006.01)I;H01L27/146(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/82(2006.01)I |
代理机构 |
隆天国际知识产权代理有限公司 72003 |
代理人 |
郑小军 |
主权项 |
一种CMOS图像传感器的制造方法,该方法包括以下步骤:在衬底上形成焊盘之后,涂布氧化物层和氮化物层;蚀刻和去除该氧化物层和该氮化物层位于该衬底的边缘上的部分,且通过蚀刻该氧化物层和该氮化物层露出该焊盘,并通过第一灰化步骤、溶剂清洗步骤以及第二灰化步骤清洗露出的该焊盘;涂布焊盘保护层;执行氢退火工艺;执行微透镜工艺、平坦化工艺以及滤色镜阵列工艺;以及去除焊盘区域的焊盘保护层。 |
地址 |
韩国首尔 |