垂直腔面发射激光器、模块、光传输装置及系统、自由空间光通信装置及系统

摘要

本发明提供垂直腔面发射激光器、模块、光传输装置、光传输系统、自由空间光通信装置和自由空间光通信系统。该VCSEL包括：形成在基板上并具有第一掺杂浓度的第一导电型的第一半导体多层膜反射镜；形成在第一反射镜上的活性区；第二导电型的第二半导体多层膜反射镜，其形成在活性区上并邻近活性区，具有第二掺杂浓度；第二导电型的第三半导体多层膜反射镜，其形成在第二反射镜上并具有比第二掺杂浓度高的第三掺杂浓度；及第二导电型的第四半导体多层膜反射镜，其形成在第三反射镜上并具有比第二掺杂浓度高的第四掺杂浓度。所述反射镜包括成对的低Al半导体层和高Al半导体层。第二反射镜中的低Al半导体层的Al组成比第四反射镜中的高。

主权项

一种垂直腔面发射激光器，即VCSEL，该垂直腔面发射激光器包括：基板；第一导电型的第一半导体多层膜反射镜，该第一半导体多层膜反射镜形成在所述基板上并具有第一掺杂浓度；形成在所述第一半导体多层膜反射镜上的活性区；第二导电型的第二半导体多层膜反射镜，该第二半导体多层膜反射镜形成在所述活性区上并邻近所述活性区，并且具有第二掺杂浓度；第二导电型的第三半导体多层膜反射镜，该第三半导体多层膜反射镜形成在所述第二半导体多层膜反射镜上并具有第三掺杂浓度；以及第二导电型的第四半导体多层膜反射镜，该第四半导体多层膜反射镜形成在所述第三半导体多层膜反射镜上并具有第四掺杂浓度，所述第一、第二、第三和第四半导体多层膜反射镜包括成对的具有相对较低Al组成的低Al半导体层和具有相对较高Al组成的高Al半导体层，所述第二半导体多层膜反射镜中的低Al半导体层的Al组成高于所述第四半导体多层膜反射镜中的低Al半导体层的Al组成，并且所述第二掺杂浓度低于所述第四掺杂浓度，并且所述第三掺杂浓度高于所述第二掺杂浓度，并且所述第三掺杂浓度高于所述第四掺杂浓度。