| 发明名称 | 氧化物层及包含其的闪存的栅极的制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种氧化物层的制作方法，包括：提供氮化物层；对所述氮化物层进行等离子表面处理；利用高深宽比工艺步骤形成氧化物层。还提供一种闪存的栅极的制作方法，所述闪存中的第二氧化物层的制作方法和上述氧化物层的制作方法相同。本发明制作的氧化物的平整度好和厚度均匀。 | ||
| 申请公布号 | CN101996873B | 申请公布日期 | 2012.07.18 |
| 申请号 | CN200910194437.2 | 申请日期 | 2009.08.21 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 徐建华;胡亚威 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I;H01L21/263(2006.01)I;H01L21/268(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 屈蘅;李时云 |
| 主权项 | 一种氧化物层的制作方法，包括：提供氮化物层；对所述氮化物层进行等离子表面处理；利用高深宽比工艺步骤形成氧化物层；其中，所述等离子表面处理是臭氧等离子清洗工艺，所述臭氧等离子清洗工艺中的气体为臭氧和氩气的混合气体，所述臭氧等离子清洗工艺的工艺时间为60‑120秒。 | ||
| 地址 | 201203 上海市张江路18号 | ||