| 发明名称 | 采用形成在下部导体上方的选择性制造的碳纳米管可逆电阻转换元件的存储器单元及其形成方法 | ||
| 摘要 | 在一些方面，制造存储器单元的方法被提供，该方法包括(1)在基板上方制造第一导体；(2)在第一导体上方选择性地制造碳纳米管(CNT)材料；(3)在CNT材料上方制造二极管；以及(4)在二极管上方制造第二导体。也提供许多其他方面。 | ||
| 申请公布号 | CN101919056B | 申请公布日期 | 2012.07.18 |
| 申请号 | CN200880123671.X | 申请日期 | 2008.12.30 |
| 申请人 | 桑迪士克3D有限责任公司 | 发明人 | 阿普里尔·施里克;马克·克拉克;布拉德·赫纳 |
| 分类号 | H01L27/115(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/115(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 黄小临 |
| 主权项 | 一种制造存储器单元的方法，包括：在基板上方制造第一导体；通过在所述第一导体上制造碳纳米管籽晶层；以及在所述碳纳米管籽晶层上选择性地制造碳纳米管材料，从而在所述第一导体上方选择性地制造碳纳米管材料；在所述碳纳米管材料上方制造二极管；以及在所述二极管上方制造第二导体。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||