发明名称 扼流圈及其制造方法
摘要 本发明涉及扼流圈及其制造方法,公开了一种包括磁心和绕组的扼流圈。其中,所述磁心包括:底部;中心柱,其位于所述底部上,并且其上绕有所述绕组;至少两个侧部,其分别以与所述中心柱大致平行的方式接触所述底部的外周;以及顶部,其以与所述侧部接触的方式位于所述中心柱的上端处。并且,所述中心柱采用的磁性材料的饱和磁通密度比所述侧部采用的磁性材料的饱和磁通密度大,并且所述中心柱的截面积相应地比所述侧部的截面积小。通过基于材料特性合理拼接不同磁性材料的磁心以形成封闭磁心结构,本发明突破了以往用单一磁性材料制作扼流圈的磁心的传统,并具有气隙分布均匀、有效磁路长度及有效磁路面积调节灵活、对外部电磁干扰低等优点。
申请公布号 CN102592782A 申请公布日期 2012.07.18
申请号 CN201210067498.4 申请日期 2012.03.14
申请人 北京七星飞行电子有限公司 发明人 张卫东
分类号 H01F17/04(2006.01)I;H01F27/24(2006.01)I;H01F27/28(2006.01)I;H01F27/02(2006.01)I;H01F41/00(2006.01)I 主分类号 H01F17/04(2006.01)I
代理机构 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 代理人 刘新宇
主权项 一种扼流圈,其包括磁心和绕组,其特征在于,所述磁心包括:底部;中心柱,其位于所述底部上,并且其上绕有所述绕组;至少两个侧部,其分别以与所述中心柱大致平行的方式接触所述底部的外周;以及顶部,其以与所述侧部接触的方式位于所述中心柱的上端处,并且,所述中心柱采用的磁性材料的饱和磁通密度比所述侧部采用的磁性材料的饱和磁通密度大,所述中心柱的截面积比所述侧部的截面积小。
地址 100015 北京市朝阳区酒仙桥路4号