| 发明名称 | 半导体装置以及功率变换装置 | ||
| 摘要 | 提供了一种半导体装置，能够在保持低损失和高耐压的同时，提高栅极驱动电路对在导通开关时间段中的dv/dt的控制性。该半导体装置设置有：第1导电型的第1半导体层(4)；在其表面附近形成的第2导电型的第2半导体层(2)；与其电连接的第1主电极(11)，与第1半导体层(4)邻接且在与第2半导体层(2)相反侧的表面附近形成的第2导电型的第3半导体层(6)；在其上部上选择性地设置的第1导电型的第4半导体层(7)；与第3半导体层(6)以及第4半导体层(7)电连接的第2主电极(14)；其侧面与第4半导体层(7)和第3半导体层(6)接触且达到第1半导体层(4)的沟槽(17)；沿着该侧面通过多晶硅的边壁形成的栅极电极(9)；以及在沟槽(17)内离开栅极电极(9)而设置且与第2主电极(14)电连接的多晶硅电极(18)。 | ||
| 申请公布号 | CN102593167A | 申请公布日期 | 2012.07.18 |
| 申请号 | CN201210001137.X | 申请日期 | 2012.01.04 |
| 申请人 | 株式会社日立制作所 | 发明人 | 白石正树;森睦宏;铃木弘;渡边聪 |
| 分类号 | H01L29/739(2006.01)I;H01L21/331(2006.01)I;H01L25/07(2006.01)I;H02M1/00(2007.01)I | 主分类号 | H01L29/739(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 张宝荣 |
| 主权项 | 一种半导体装置，其特征在于，设置有：第1导电型的第1半导体层；在该第1半导体层的表面附近形成的第2导电型的第2半导体层；与所述第2半导体层电连接的第1主电极；与所述第1半导体层邻接，且在与所述第2半导体层相反侧的表面附近形成的第2导电型的第3半导体层；在该第3半导体层的上部选择性地设置的第1导电型的第4半导体层；与所述第3半导体层以及所述第4半导体层电连接的第2主电极；侧面与所述第4半导体层和所述第3半导体层接触，且到达所述第1半导体层的沟槽；沿着该沟槽的所述侧面通过多晶硅的边壁形成的栅极电极；以及在所述沟槽内离开所述栅极电极而设置，且与所述第2主电极电连接的多晶硅电极。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||