发明名称 发光二极管、发光二极管灯和照明装置
摘要 本发明提供一种具有红色光以及红外光的发光波长、单色性优异、并且为高输出功率和高效率、耐湿性优异的发光二极管。本发明的发光二极管,其特征在于,具备:发光部、形成于所述发光部上的电流扩散层、和与所述电流扩散层接合的功能性基板,所述发光部具有:具有组成式为(AlX1Ga1-X1)As(0≤X1≤1)的阱层和组成式为(AlX2Ga1-X2)As(0<X2≤1)的势垒层的叠层结构并发出红外光的活性层、夹着该活性层的第1覆盖层和第2覆盖层,所述第1和第2覆盖层由组成式(AlX3Ga1-X3)Y1In1-Y1P(0≤X3≤1,0<Y1≤1)表示。
申请公布号 CN102598318A 申请公布日期 2012.07.18
申请号 CN201080051483.8 申请日期 2010.09.15
申请人 昭和电工株式会社 发明人 粟饭原范行;濑尾则善;村木典孝;竹内良一
分类号 H01L33/30(2006.01)I;H01L33/36(2006.01)I 主分类号 H01L33/30(2006.01)I
代理机构 北京市中咨律师事务所 11247 代理人 段承恩;田欣
主权项 一种发光二极管,其特征在于,具备:发光部,该发光部具有活性层、夹着该活性层的第1覆盖层和第2覆盖层,所述活性层是交替地层叠了组成式为(AlX1Ga1‑X1)As(0≤X1≤1)的阱层和组成式为(AlX2Ga1‑X2)As(0<X2≤1)的势垒层的量子阱结构的活性层;形成于所述发光部上的电流扩散层;和与所述电流扩散层接合的功能性基板,所述第1和第2覆盖层由组成式(AlX3Ga1‑X3)Y1In1‑Y1P(0≤X3≤1,0<Y1≤1)表示。
地址 日本东京都