| 发明名称 | 在顶部金属层上形成金属-绝缘体-金属电容器 | ||
| 摘要 | 多个金属层包括顶部金属层。将超厚金属(UTM)层设置在所述顶部金属层上方，其中，没有额外的金属层定位在UTM层和顶部金属层之间。将金属-绝缘体-金属(MIM)电容器设置在UTM层下方并且设置在顶部金属层上方。本发明还公开了一种在顶部金属层上形成金属-绝缘体-金属电容器。 | ||
| 申请公布号 | CN102593096A | 申请公布日期 | 2012.07.18 |
| 申请号 | CN201210012935.2 | 申请日期 | 2012.01.16 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 巫昆懋;林志勋;叶玉隆;蔡冠智 |
| 分类号 | H01L23/522(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/522(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人 | 陆鑫;房岭梅 |
| 主权项 | 一种器件，包括：多个金属层，包括顶部金属层；超厚金属(UTM)层，在所述顶部金属层上方，其中，没有额外的金属层定位在所述UTM层和所述顶部金属层之间；以及金属‑绝缘体‑金属(MIM)电容器，在所述UTM层下方并且在所述顶部金属层上方。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||