一种氮化物分布式布拉格反射镜及制备方法与应用

摘要

本发明提供了一种氮化物分布布拉格反射镜及制备方法，该DBR采用AlxInyGal-x-yN/AluInvGal-u-vN四元结构。该DBR可通过调节Al、In和Ga的组分来实现晶格常数的调整或者抵消其它结构应力、调节DBR材料的折射率。由于有Ga和In的引入，生长速率也易于调节，可以比AlInN层用更高的温度生长，获得更高的晶体质量和界面平整程度。本发明的氮化物DBR用于制备含DBR的氮化镓基发光二极管。

主权项

一种氮化物分布式布拉格反射镜，包括在蓝宝石或碳化硅衬底上依次生长有成核层、缓冲层，所述成核层是氮化镓层、氮化铝层或铝镓氮层之一，所述缓冲层是非掺杂氮化镓层，其特征在于在所述缓冲层上面生长AlxInyGa1‑x‑yN/AluInvGa1‑u‑vN四元结构构成的分布式布拉格反射镜，其中，0＜x＜0.5，0＜y＜0.5，0＜u＜0.5，0＜v＜0.5，AlxInyGa1‑x‑yN层厚度为20‑70nm，AluInvGa1‑u‑vN层厚度为30‑80nm，重复周期数为15‑50。