发明名称 处理有非平坦表面的基材的方法
摘要 揭示一种处理具有水平表面以及非水平表面的基材的方法。藉由采用离子植入器,将粒子植入到基材中。在离子植入期间,由于植入处理的性质,可以在表面上沉积薄膜,其中水平表面上的薄膜的厚度较厚。薄膜的出现可能逆向改变基材的特性。为了对此情况进行更正,执行第二处理步骤来移除沉积在水平表面上的薄膜。在一些实施例中,蚀刻处理被用于移除此薄膜。在一些实施例中,材料改性步骤被用于改变组成薄膜的材料的组成物。材料改性步骤可以替代蚀刻处理,或者作为蚀刻处理的附加步骤。
申请公布号 CN102598219A 申请公布日期 2012.07.18
申请号 CN201080046098.4 申请日期 2010.10.14
申请人 瓦里安半导体设备公司 发明人 乔治·D·帕帕守尔艾迪斯;维克拉姆·辛;尹赫云;海伦·L·梅纳德;卢多维克·葛特
分类号 H01L21/265(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01J37/32(2006.01)I 主分类号 H01L21/265(2006.01)I
代理机构 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 代理人 臧建明
主权项 一种处理基材的方法,所述基材具有水平表面以及非水平表面,其特征在于,所述方法包括:将理想的数量的离子引入到所述基材中,其中在所述引入期间,在所述水平表面上沉积薄膜;以及藉由采用蚀刻处理以将所述薄膜从所述水平表面移除。
地址 美国麻萨诸塞州格洛斯特郡都利路35号