用于铁电随机存储器的灵敏放大电路

摘要

本发明涉及非易失存储器技术领域，尤其涉及一种用于铁电随机存储器的灵敏放大电路。本发明由一对交叉耦合的CMOS反相器，一个栅极接使能信号的PMOS管和一个栅极接使能信号的NMOS管组成；位线预放电信号控制的两个NMOS管可以使得静态时位线电压为零，减小对内部信号的干扰。本发明在读取数据时的抗干扰性和可靠性高，电路结构简单、占用面积小、速度快、功耗低、输入输出合一。

主权项

一种用于铁电随机存储器的灵敏放大电路，其特征在于包括：两个PMOS管M1、M2，两NMOS管M3、M4，PMOS管M1的栅极与NMOS管M3的栅极相连接，PMOS管M2的栅极与NMOS管M3的栅极相连接，PMOS管M1的漏极连接到NMOS管M3的漏极，PMOS管M2的漏极连接到NMOS管M4的漏极，PMOS管M1的漏极和NMOS管M3的漏共同连接到位线BL，PMOS管M2的漏极和NMOS管M4的漏极共同连接到反位线BLn；PMOS管M1与PMOS管M2的源极相连接后连接到PMOS管M5的漏极，PMOS管M5的源极连接电源Vdd，PMOS管M5的栅极连接使能信号端，NMOS管M3与NMOS管M4的源极共同连接到NMOS管M6的漏极，NMOS管M6的源极接地，NMOS管M6的栅极连接栅极使能信号端；NMOS管M7、M8的栅极共同连接到位线预放电信号端，NMOS管M7、M8的源极共同连接然后接地，NMOS管M7的漏极连接到位线BL，NMOS管M8的漏极反位线BLn。