| 发明名称 | 一种基于标准CMOS工艺的叠层差分光电探测器 | ||
| 摘要 | 本发明属于硅基光接收机技术领域，涉及一种基于标准CMOS工艺叠层差分双光电探测器，包括：呈垂直分布的MSM型光电探测器、双光电二极管型光电探测器以及位于两者之间的隔离层，其中，双光电二极管型光电探测器制作在硅衬底PSUB上，使用P+/N阱结作为工作二极管，N阱/Psub结作为屏蔽二极管，位于下方，其阴极P+与阳极N+相间分布，每两个阳极N+间的阴极P+数量为3～4个；MSM型光电探测器制作在低掺杂多晶硅层POLY1上，位于上方。本发明提供的光电探测器，能够由一路输入光信号得到两路相互隔离的光电流信号；提高光注入效率；使基于标准CMOS工艺的光接收机在保证带宽和频率特性的情况下获得足够的响应度。 | ||
| 申请公布号 | CN102593132A | 申请公布日期 | 2012.07.18 |
| 申请号 | CN201210045150.5 | 申请日期 | 2012.02.24 |
| 申请人 | 天津大学 | 发明人 | 毛陆虹;康玉琢;肖新东;张世林;谢生 |
| 分类号 | H01L27/144(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/144(2006.01)I |
| 代理机构 | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人 | 程毓英 |
| 主权项 | 一种基于标准CMOS工艺叠层差分双光电探测器，包括：呈垂直分布的MSM型光电探测器、双光电二极管型光电探测器以及位于两者之间的隔离层，其中，双光电二极管型光电探测器制作在硅衬底PSUB上，使用P+/N阱结作为工作二极管，N阱/Psub结作为屏蔽二极管，位于下方，其阴极P+与阳极N+相间分布，每两个阳极N+间的阴极P+数量为3～4个；MSM型光电探测器制作在低掺杂多晶硅层POLY1上，位于上方。 | ||
| 地址 | 300072 天津市南开区卫津路92号 | ||