| 发明名称 | 制备半导体活性层、薄膜晶体管的方法及该薄膜晶体管 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种制备IGZO活性层的方法，其包括由第一靶沉积包括In、Ga和Zn的离子，和由第二靶沉积包括In的离子，所述第二靶具有不同于所述第一靶的原子组成。由第二靶沉积的离子可被控制以将IGZO活性层中In的原子％调节为约45原子％～约80原子％。 | ||
| 申请公布号 | CN101350313B | 申请公布日期 | 2012.07.18 |
| 申请号 | CN200810133317.7 | 申请日期 | 2008.07.15 |
| 申请人 | 三星移动显示器株式会社 | 发明人 | 郑棕翰;郑在景;朴镇成;牟然坤;梁熙元;金民圭;安泰琼;申铉秀;李宪贞 |
| 分类号 | H01L21/363(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I;H01L29/24(2006.01)I;C23C14/34(2006.01)I;C23C14/08(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/363(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人 | 徐江华;王珍仙 |
| 主权项 | 一种制备IGZO活性层的方法，该方法包括：由第一靶沉积包括In、Ga和Zn的离子；和由第二靶沉积包括In的离子，所述第二靶具有不同于所述第一靶的原子组成，其中控制由第二靶的离子沉积以将所述IGZO活性层中In的原子％调节为55原子％～75原子％。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||