| 发明名称 | ESD保护器件以及用于形成ESD保护器件的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种器件，该器件包括信号输入端，该信号输入端与静电放电(ESD)保护器件电通信，其中，该ESD器件保护器件包括栅控二极管，该栅控二极管配置为多边形。 | ||
| 申请公布号 | CN102593162A | 申请公布日期 | 2012.07.18 |
| 申请号 | CN201210005678.X | 申请日期 | 2012.01.05 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 蔡铭宪 |
| 分类号 | H01L29/36(2006.01)I;H01L29/861(2006.01)I;H01L27/02(2006.01)I;H01L21/329(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/36(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人 | 陆鑫;房岭梅 |
| 主权项 | 一种器件，包括：静电放电(ESD)保护器件；信号输入端，与所述ESD保护器件电通信；以及被保护电路，其中，所述ESD保护器件置于所述信号输入端和所述被保护电路之间，并且，所述ESD保护器件配置为降低来自所述信号输入端处的信号的ESD效应，以及其中，所述ESD保护器件包括栅控二极管，所述栅控二极管配置为多边形。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||