发明名称 |
一种非易失性电场调控磁化强度的信息存储器件 |
摘要 |
本发明涉及一种非易失性电场调控磁化强度的信息存储器件,属于信息存储技术领域。存储器件由第一金层、钽层、铁磁层、铁电层和第二金层组成。第一金层、钽层、铁磁层、铁电层和第二金层由上而下依次重叠。第一金层的厚度为200-300纳米,钽层的厚度为5-10纳米,铁磁层的厚度为10-20纳米,为非晶层,铁电层的厚度为0.2-0.5毫米,晶体具有三方对称性,第二金层的厚度为300-500纳米。此外,本发明的信息存储器件,在实际应用中可以直接实现电场E对磁化强度M的调控,同时撤掉电场后,被调制的磁化强度M能够较好地保持,从而方便电场对磁记录操控,并能节省能耗。 |
申请公布号 |
CN102593348A |
申请公布日期 |
2012.07.18 |
申请号 |
CN201210065381.2 |
申请日期 |
2012.03.13 |
申请人 |
清华大学 |
发明人 |
赵永刚;张森;杨军杰;李培森;曲天良 |
分类号 |
H01L43/00(2006.01)I;G11B5/66(2006.01)I |
主分类号 |
H01L43/00(2006.01)I |
代理机构 |
北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 |
代理人 |
罗文群 |
主权项 |
一种非易失性电场调控磁化强度的信息存储器件,其特征在于该信息存储器件由第一金层、钽层、铁磁层、铁电层和第二金层组成;所述的第一金层、钽层、铁磁层、铁电层和第二金层由上而下依次重叠,其中所述的第一金层的厚度为200‑300纳米,所述的钽层的厚度为5‑10纳米,所述的铁磁层的厚度为10‑20纳米,所述的铁电层的厚度为0.2‑0.5毫米,所述的第二金层的厚度为300‑500纳米。 |
地址 |
100084 北京市海淀区清华园1号 |