发明名称 一种采用二次合金法提纯多晶硅的方法
摘要 一种采用二次合金法提纯多晶硅的方法,涉及多晶硅的提纯方法。将装有工业硅和工业铁粉的石墨坩埚放入感应熔炼炉中加热,通入氩气;将感应熔炼炉升温至1550~1620℃,保温3~5h;将经过保温的合金降温至1220~1270℃,然后淬火处理;将经过淬火处理的硅锭粉碎,然后磨成硅粉,再清洗;将清洗后的硅粉放入氢氟酸中酸洗,清洗后烘干;将烘干后的硅粉与钙粒混合后放入石墨坩埚,进行二次熔炼后,降温至1050~1100℃,然后淬火处理;将硅锭粉碎,清洗,然后放入盐酸中酸洗,再清洗后烘干,得到的硅粉即为采用二次合金法提纯的多晶硅。
申请公布号 CN102583387A 申请公布日期 2012.07.18
申请号 CN201210024958.5 申请日期 2012.02.03
申请人 厦门大学 发明人 罗学涛;林彦旭;余德钦;李锦堂;方明;卢成浩
分类号 C01B33/037(2006.01)I 主分类号 C01B33/037(2006.01)I
代理机构 厦门南强之路专利事务所 35200 代理人 马应森
主权项 一种采用二次合金法提纯多晶硅的方法,其特征在于包括以下步骤:1)将装有工业硅和工业铁粉的石墨坩埚放入感应熔炼炉中加热,通入氩气;2)将感应熔炼炉升温至1550~1620℃,保温3~5h;3)将步骤2)中经过保温的合金降温至1220~1270℃,然后淬火处理;4)将步骤3)中经过淬火处理的硅锭粉碎,然后磨成硅粉,再清洗;5)将步骤4)清洗后的硅粉放入氢氟酸中酸洗,清洗后烘干;6)将烘干后的硅粉与钙粒混合后放入石墨坩埚,进行二次熔炼后,降温至1050~1100℃,然后淬火处理;7)将步骤6)中的硅锭粉碎,清洗,然后放入盐酸中酸洗,再清洗后烘干,得到的硅粉即为采用二次合金法提纯的多晶硅。
地址 361005 福建省厦门市思明南路422号