一种台面硅整流器件的切割方法

摘要

本发明涉及一种台面硅整流器件的切割方法，首先将经过磷硼扩散的硅片进行氧化处理，然后对硅片进行双面光刻，用混酸将硅片腐蚀出PN结台面，清洗后进行玻璃钝化，使用喷砂方法去除硅片表面的氧化层，经过化学镀镍和烧结，在硅片表面形成良好的欧姆接触，再将硅片利用激光切割机进行切割，将硅片背面放在载片台上，对准后启动设备，切割后经过手工裂片，形成单一的晶粒，该制成工艺能有效消除传统的砂轮切割方式导致的玻璃钝化芯片出现的微裂纹缺陷，因此能提高该类半导体器件的性能，特别是提高高反压器件的稳定性、可靠性和耐压强度。

主权项

一种台面硅整流器件的切割方法 ，该方法包括以下步骤：  （1）对N型单晶硅片进行高温1250±5℃的磷硼扩散，形成PN结的硅片；  （2）对步骤（1）所述形成PN结的硅片进行1120±5℃氧化，形成氧化层后，再在其表面滴上负性光刻胶制成涂胶硅片；（3）对所述涂胶硅片表面光刻胶进行两面同时曝光，光刻出需要的图形；（4）使用混合酸腐蚀液对步骤（３）光刻后制成的硅片进行腐蚀清洗后进行玻璃钝化；（5）去掉玻璃钝化后的硅片表面的氧化保护层，然后在所述硅片表面镀上一层镍合金层；（6）将步骤（５）制成的硅片N面朝上放在激光切割机载片台上，根据所述硅片表面图形进行X和Y方向对准，使用激光将所述硅片切割到一定深度；（7）将切割后的硅片放在麦拉纸上，将硅片表面涂满异丙醇，再放上一张麦拉纸，沿图案水平方向推压，再转动一定角度推压，反复数次，掀开表面的麦拉纸，剥离出边缘不完整的晶粒，清洗后收集合格、性能稳定的晶粒。