发明名称 |
半导体装置的制造方法 |
摘要 |
本发明提供使用了氧化物半导体膜的截止电流极小的晶体管。此外,本发明通过应用该晶体管从而提供耗电量极小的半导体装置。在衬底上通过加热处理来形成释放氧的基底绝缘膜,在基底绝缘膜上形成第一氧化物半导体膜,并对衬底进行加热处理。接着,在第一氧化物半导体膜上形成导电膜,并对该导电膜进行加工以形成源电极及漏电极。接着,在对第一氧化物半导体膜进行加工来形成第二氧化物半导体膜之后,立即形成覆盖源电极、漏电极及第二氧化物半导体膜的栅极绝缘膜,并在栅极绝缘膜上形成栅电极。 |
申请公布号 |
CN102593185A |
申请公布日期 |
2012.07.18 |
申请号 |
CN201210021268.4 |
申请日期 |
2012.01.11 |
申请人 |
株式会社半导体能源研究所 |
发明人 |
山崎舜平 |
分类号 |
H01L29/786(2006.01)I;H01L29/417(2006.01)I;H01L21/77(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/786(2006.01)I |
代理机构 |
上海专利商标事务所有限公司 31100 |
代理人 |
张鑫 |
主权项 |
一种半导体装置,包括晶体管,该晶体管包括:半导体膜;以及所述半导体膜上的源电极及漏电极,其中,所述源电极及漏电极的整个部分覆盖所述半导体膜的一部分。 |
地址 |
日本神奈川县 |