发明名称 |
带有闩锁抑制的可调节晶体管衬底偏置发生电路 |
摘要 |
本发明提供了带有衬底偏置或体偏置发生电路的集成电路。衬底偏置发生电路产生衬底偏置信号,其施加到衬底偏置路径上的晶体管。衬底偏置发生电路包括有源闩锁抑制电路,当潜在的闩锁状态检测出来时,其箝位衬底偏置路径处于安全电压。衬底偏置电路产生的衬底偏置信号电平是可调的。通过使用p沟道控制晶体管,衬底偏置发生电路调节衬底偏置路径上的衬底偏置电压。隔离晶体管耦合在p沟道控制晶体管和衬底偏置路径之间。在潜在闩锁状态期间,隔离晶体管被断开来隔离衬底偏置路径和地。控制电路调节衬底偏置电压,衬底偏置电压被施加到p沟道控制晶体管和隔离晶体管中的衬底端。 |
申请公布号 |
CN101034882B |
申请公布日期 |
2012.07.18 |
申请号 |
CN200710084732.3 |
申请日期 |
2007.02.28 |
申请人 |
阿尔特拉公司 |
发明人 |
S·佩里塞地 |
分类号 |
H03K3/00(2006.01)I;H03K3/037(2006.01)I;H01L27/02(2006.01)I |
主分类号 |
H03K3/00(2006.01)I |
代理机构 |
北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 |
代理人 |
赵蓉民 |
主权项 |
一种集成电路,包括:金属氧化物半导体晶体管,每一个晶体管都带有衬底端,所述衬底端通过衬底偏置路径来接收衬底偏置信号;金属氧化物半导体衬底偏置发生电路,其提供所述衬底偏置信号到所述衬底偏置路径,其中所述金属氧化物半导体衬底偏置发生电路包括:控制晶体管,其耦合在上升电源端和所述衬底偏置路径之间;和有源闩锁抑制电路,其连接到所述衬底偏置路径以通过导通闩锁抑制晶体管将所述衬底偏置路径箝位在给定电压,进而防止所述金属氧化物半导体晶体管闩锁;以及输入‑输出管脚,使用这些管脚,正的电源信号、大于所述正的电源信号的上升电源信号、以及地电源信号被提供到所述集成电路,其中所述上升电源信号被提供到所述上升电源端。 |
地址 |
美国加利福尼亚州 |