控制外延层形成期间形态的方法

摘要

本发明的第一方面是提供一种在基材上选择性形成外延层的方法。此方法包含加热所述基材至低于约800℃的一温度；以及在所述外延膜形成过程中，一并使用硅烷与二氯甲硅烷作为硅源。本发明亦提供其它各式的方面。

主权项

一种形成外延层的方法，所述方法包含：提供基材；加热所述基材至低于约800℃的温度；以及在所述基材上进行选择性外延膜形成工艺，在所述选择性外延膜形成工艺中，一并使用硅烷与二氯甲硅烷作为硅源，以便形成所述外延层；其中进行所述选择性外延膜形成工艺包含：进行沉积步骤，且在所述沉积步骤后进行蚀刻步骤；其中进行所述沉积步骤包含提供硅烷流以及二氯甲硅烷流；其中进行所述沉积步骤包含流入长达约10秒的硅烷与二氯甲硅烷。