| 发明名称 | 编程电阻存储单元的方法和装置 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种编程电阻存储单元的方法和装置。该方法包括：采用第一编程脉冲对电阻存储单元进行编程操作；检测采用第一编程脉冲对电阻存储单元进行编程操作是否成功；以及在对电阻存储单元编程失败的情况下，采用第二编程脉冲对电阻存储单元进行编程操作，第二编程脉冲比第一编程脉冲的宽度长。本发明中，采用增长脉冲宽度的编程脉冲对电阻存储单元进行编程操作，可以大大提高电阻存储单元的反复擦写次数，延长其使用寿命。 | ||
| 申请公布号 | CN102592667A | 申请公布日期 | 2012.07.18 |
| 申请号 | CN201110006817.6 | 申请日期 | 2011.01.13 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 刘明;连文泰;龙世兵;刘琦;李颖弢;张森;王艳 |
| 分类号 | G11C16/02(2006.01)I;G11C16/34(2006.01)I | 主分类号 | G11C16/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 宋焰琴 |
| 主权项 | 一种编程电阻存储单元的方法，其特征在于，包括：采用第一编程脉冲对所述电阻存储单元进行编程操作；检测采用第一编程脉冲对所述电阻存储单元进行编程操作是否成功；以及在对所述电阻存储单元编程失败的情况下，采用第二编程脉冲对所述电阻存储单元进行编程操作，所述第二编程脉冲比所述第一编程脉冲的宽度长。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||