| 发明名称 | 修复低-K介电质损坏的方法 | ||
| 摘要 | 用于修复具有有机化合物的硅基低-k介电层的损坏的方法，其中损坏处用附着于硅的羟基替代附着于硅的甲基。提供包含甲烷气体的修复气体。使所述修复气体形成等离子体，同时将压强维持在50mTorr以下。附着于硅的羟基被来自于由所述修复气体所形成的所述等离子体中的甲基所替代。 | ||
| 申请公布号 | CN102598227A | 申请公布日期 | 2012.07.18 |
| 申请号 | CN201080047573.X | 申请日期 | 2010.10.20 |
| 申请人 | 朗姆研究公司 | 发明人 | 斯蒂芬·M·西拉德;竹下健二;安德鲁·D·贝利三世 |
| 分类号 | H01L21/3105(2006.01)I;H01L21/311(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/3105(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人 | 李献忠 |
| 主权项 | 用于修复具有有机化合物的硅基低‑k介电层的损坏的方法，其中损坏使附着于硅的羟基替代附着于硅的甲基，所述方法包含：提供包含甲烷气体的修复气体；使所述修复气体形成等离子体，同时将压强维持50mTorr以下；用来自于由所述修复气体所形成的等离子体中的甲基替代附着于硅的羟基。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||