清洁CMP后的晶片的热学方法

摘要

提供在化学机械抛光之后清洁半导体晶片的方法。一种示例性的方法将晶片先后暴露于氧化环境和还原环境中的热处理。在该氧化环境的热处理除去残留物并氧化暴露的铜表面以形成氧化铜层。然后在该还原环境中的热处理将氧化铜还原为元素铜。这使得暴露的铜很清洁并适于进一步处理，比如无电镀覆。

主权项

一种CMP后的清洁方法，包含：在100℃以上的温度下，在气态氧化环境中处理晶片；然后在100℃以上的温度下，在气态还原环境中处理该晶片。