| 发明名称 | 晶背蚀刻方法及系统 | ||
| 摘要 | 本发明提供晶背蚀刻方法及系统，以避免晶圆正面的变色现象，提高晶圆质量，该晶背对应的晶圆正面贴有防酸膜，该方法包括：在第一温度下，采用残酸清洗工艺清洗晶背；采用处于第二温度的氢氧化钾溶液蚀刻晶背，其中第一温度及第二温度的差值处于预定范围。 | ||
| 申请公布号 | CN101958243B | 申请公布日期 | 2012.07.18 |
| 申请号 | CN200910054927.2 | 申请日期 | 2009.07.16 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;成都成芯半导体制造有限公司 | 发明人 | 陈泰江;吴昊 |
| 分类号 | H01L21/306(2006.01)I;H01L21/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/306(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 屈蘅;李时云 |
| 主权项 | 一种晶背蚀刻方法，该晶背对应的晶圆正面贴有防酸膜，其特征在于，包括：在第一温度下，采用残酸清洗工艺清洗晶背；采用处于第二温度的氢氧化钾溶液蚀刻晶背，其中第一温度及第二温度的差值处于预定范围；所述方法还包括根据防酸膜材质、厚度和/或面积确定所述预定范围的步骤；其中，所述第一温度为23摄氏度，所述第二温度为35摄氏度。 | ||
| 地址 | 201203 上海市张江路18号 | ||