发明名称 半导体器件、使用该器件的电路和显示设备及其驱动方法
摘要 一种读出放大器电路、一种显示设备以及一种半导体器件。通过抑制由于发生在利用具有浮置体的MOS晶体管的电路中的滞后效应所引起的操作故障,提供了一种电特性优异的器件。此外,改善了包括这些MOS晶体管作为组件的读出放大器电路和锁存电路的敏感度。在第一时间段(有效时间段)中,使用MOS晶体管的电特性,输出除第一电路以外的其他电路所需的信号,以及在除第一时间段以外的第二时间段(空闲时间段)中,在MOS晶体管的栅极和源极之间,施加不小于这些MOS晶体管的阈值电压的阶梯波形电压。
申请公布号 CN101527133B 申请公布日期 2012.07.18
申请号 CN200910128536.0 申请日期 2005.09.19
申请人 日本电气株式会社 发明人 芳贺浩史;音濑智彦;浅田秀树;野中义弘;是成贵弘;高取宪一
分类号 G09G3/36(2006.01)I 主分类号 G09G3/36(2006.01)I
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人 朱进桂
主权项 一种读出放大器电路,由MOS晶体管组成,所述MOS晶体管包括设置在绝缘层上的半导体层作为沟道,用于放大由从与位线对相连的存储器单元读出的电压引起的所述位线对之间的电位差并进行锁存,其由所述读出放大器电路具有:小幅度预放大器部分,用于将由从所述存储器单元读出的电压引起的位线对之间的电位差放大为相对小的幅度;和全幅放大器部分,用于将由所述小幅度预放大器部分获得的电位差放大为最初所需的幅度值;全幅放大器部分的输出节点连接到所述位线对;小幅度预放大器部分的输入节点通过传输控制部分连接到所述位线对,所述传输控制部分用于在全幅放大器部分的放大期间禁用所述小幅度预放大器部分。
地址 日本东京都