MOCVD设备的清洁方法

摘要

一种MOCVD设备的清洁方法，具体包括：向所述反应腔通入清洁气体，所述清洁气体至少包括Ar，利用所述等离子体处理装置将所述清洁气体等离子体化；在所述反应腔顶部形成负偏压，使得所述清洁气体的等离子体被加速并轰击所述反应腔顶部，从而除去位于所述反应腔顶部的残余沉积物。由于所述清洁方法不需要反应腔降温，减少了两次MOCVD工艺之间的等待时间，使得MOCVD设备的生产效率和产能能大幅提高；且由于Ar的等离子体与金属不会发生化学反应，不会对反应腔内壁的材料造成腐蚀。

主权项

一种MOCVD设备的清洁方法，所述MOCVD设备包括反应腔、等离子体处理装置，其特征在于，包括：向所述反应腔通入清洁气体，所述清洁气体至少包括Ar，利用所述等离子体处理装置将所述清洁气体等离子体化；在所述反应腔顶部形成负偏压，使得所述清洁气体的等离子体被加速并轰击所述反应腔顶部，从而除去位于所述反应腔顶部的残余沉积物。