| 发明名称 | 用于相变存储器的双脉冲写入 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种方法，包括：在第一步骤中从高复位态至削弱复位态对相变材料进行写入；在第二步骤中从削弱复位态至置位态对相变材料进行写入；第二步骤的电流低于第一步骤；验证相变材料的参数，其中如果参数高于置位态的目标，则重复第一步骤中的写入、第二步骤中的写入以及验证，直到参数低于目标，其中，所述第一步骤的电流随着每次迭代降低一减量，但不变得低于所述第二步骤的电流。 | ||
| 申请公布号 | CN102598143A | 申请公布日期 | 2012.07.18 |
| 申请号 | CN201080049214.8 | 申请日期 | 2010.09.24 |
| 申请人 | 英特尔公司 | 发明人 | D·考;J·卡尔布;B·克勒恩 |
| 分类号 | G11C16/34(2006.01)I;G11C16/20(2006.01)I;G11C13/02(2006.01)I | 主分类号 | G11C16/34(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人 | 陈松涛;王英 |
| 主权项 | 一种方法，包括：在第一步骤中从第一复位态至第二复位态对相变材料进行写入；在第二步骤中从所述第二复位态至置位态对所述相变材料进行写入，所述第二步骤的电流低于所述第一步骤的电流；验证所述相变材料的参数，其中如果所述参数高于所述置位态的目标，则重复所述第一步骤中的所述写入、所述第二步骤中的所述写入以及所述验证，直到所述参数低于所述目标，其中，所述第一步骤的电流随着每次迭代降低一减量，但不变得低于所述第二步骤的电流。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚 | ||