薄膜去除方法

摘要

本发明公开了一种薄膜去除方法，包括步骤：提供表面具有薄膜的衬底；将所述衬底传送至处理室内；利用低功率的射频电源在所述处理室外对反应气体进行等离子体激活；将所述等离子体激活后的反应气体通入所述处理室内；利用所述等离子体激活后的反应气体进行刻蚀处理去除所述薄膜，利用退火处理去除所述刻蚀处理过程中的生成物。本发明还相应地公开了利用该方法形成局域金属硅化物，及利用该方法形成接触孔开口的具体实施步骤。采用本发明的薄膜去除方法，既可以避免传统干法刻蚀方法对下层结构的损伤，又可以避免各向同性的湿法腐蚀方法对侧壁结构的损伤。

主权项

一种薄膜去除方法，其特征在于，包括步骤：提供表面具有薄膜的衬底；将所述衬底传送至处理室内，所述处理室为SiCoNi预清洗设备的清洗室；利用低功率的射频电源在所述处理室外对反应气体进行等离子体激活；将所述等离子体激活后的反应气体通入所述处理室内；利用所述等离子体激活后的反应气体进行刻蚀处理去除所述薄膜，利用退火处理去除所述刻蚀处理过程中的生成物，具体包括：对所述薄膜进行刻蚀处理，且所述刻蚀处理去除的薄膜厚度小于或等于单次厚度；将进行刻蚀处理后的所述衬底移至所述处理室内的退火位置，进行退火处理；将退火后的所述衬底传送至SiCoNi预清洗设备的冷却室内；对退火后的所述衬底进行冷却处理；依次重复上述刻蚀、退火及冷却处理，直至将所述衬底上的所述薄膜完全去除为止，其中，所述单次厚度是指利用所述等离子体激活后的反应气体进行刻蚀处理去除所述薄膜时，一次能去除的薄膜厚度。