| 发明名称 | 晶体管与其制法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种晶体管与其制法。此晶体管包括：一栅极电极，设置于一基材之上；以及至少一复合应力结构，设置于该栅极电极下方的沟道旁，其中复合应力结构包括：一第一应力区域，位于基材中；以及一第二应力区域，设于第一应力区域之上，且至少一部分的第二应力区域设置于基材中。本发明提供的晶体管具有复合应力结构，可提供晶体管的沟道所需的压缩或伸张应力，增加了晶体管的电性表现。 | ||
| 申请公布号 | CN101989616B | 申请公布日期 | 2012.07.18 |
| 申请号 | CN201010243664.2 | 申请日期 | 2010.07.30 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 郑振辉;宋学昌;陈冠宇;林宪信;冯家馨 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人 | 陆鑫;高雪琴 |
| 主权项 | 一种晶体管，包括：一栅极电极，设置于一基材之上；以及至少一复合应力结构，设置该栅极电极下方的一沟道旁，其中该复合应力结构包括：一第一应力区域，位于该基材中；以及一第二应力区域，设置于该第一应力区域之上，且至少一部分的第二应力区域设置于该基材中，以及一掺杂区域，设置于该第二应力区域之上，其中该掺杂区域的一表面高于该基材的表面。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹市 | ||