发明名称 10560纳米带通红外滤光片及其制作方法
摘要 本发明公开了一种10560纳米带通红外滤光片及其制作方法,其特征是:采用尺寸为Φ25.4×0.5mm的单晶锗Ge作基板;其表面光圈N≤5,局部光圈ΔN≤0.5,平行度θ≤1’,表面光洁度优于60/40;镀膜材料选择硫化锌ZnS和单晶锗Ge,在基板两个表面上分别沉积主膜系面薄膜:Sub|HLHLH2LHLHLHLHLH2LHLHL|Air和干涉截止膜系面薄膜:Sub|0.76(0.5HL0.5H)5 0.5(0.5HL0.5H)5 0.35(0.5HL0.5H)5 0.25(0.5HL0.5H)6 0.16(0.5HL0.5H)6|Air,其镀膜工艺条件是在高真空(真空度≤10-3Pa)环境下进行300℃以下的加热烘烤,采用物理气相沉积方式加以离子源辅助镀膜。本发明提供的一种10560纳米带通红外滤光片的制作方法得到的10560纳米带通红外滤光片,峰值透过率可达90%以上,极大的提高信噪比,很好的抑制其他气体的干扰,提高仪器探测精度和效能。
申请公布号 CN102590918A 申请公布日期 2012.07.18
申请号 CN201210063888.4 申请日期 2012.03.12
申请人 杭州麦乐克电子科技有限公司 发明人 吕晶
分类号 G02B5/28(2006.01)I;G02B1/10(2006.01)I;B32B9/04(2006.01)I;B32B15/00(2006.01)I;C23C14/54(2006.01)I;C23C14/06(2006.01)I;C23C14/14(2006.01)I 主分类号 G02B5/28(2006.01)I
代理机构 杭州金源通汇专利事务所(普通合伙) 33236 代理人 唐迅
主权项 一种10560纳米带通红外滤光片,其特征是:(1)采用尺寸为Φ25.4×0.5mm的单晶锗Ge作基板;其表面光圈N≤5,局部光圈ΔN≤0.5,平行度θ≤1’;表面光洁度优于60/40;(2)镀膜材料选择硫化锌ZnS和单晶锗Ge,在基板两个表面上分别沉积多层干涉薄膜,所述多层干涉薄膜符合下述第3结构特征:(3)主膜系面薄膜结构采用Sub|HLHLH2LHLHLHLHLH2LHLHL|Air;干涉截止膜系面薄膜采用以下结构:Sub|0.76(0.5HL0.5H)5 0.5(0.5HL0.5H)5 0.35(0.5HL 0.5H)5 0.25(0.5HL 0.5H)6 0.16(0.5HL 0.5H)6|Air膜系中符号含义分别为:Sub为基板、Air为空气、H为λc/4单晶锗膜层、L为λc/4硫化锌膜层、λc=10560纳米、结构式中数字为膜层的厚度系数、结构式中的指数是膜堆镀膜的周期数。
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