去除模拟基板上聚酰亚胺膜的方法

摘要

本发明公开了一种去除模拟基板上聚酰亚胺膜的方法，包括：步骤1、在设定的特征参数下，利用一组气体与模拟基板上聚酰亚胺膜发生第一次反应；步骤2、在设定的特征参数下，利用氧气的等离子体与所述第一次反应后的残余物发生第二次反应；所述特征参数包括高频电源功率、压力以及所述选择的气体流量。本发明选用O2 plasma与模拟基板上的PI膜进行第二次反应，不仅能完全去除PI膜残余物，而且不破坏模拟基板上的ITO层，防止ITO层龟裂产生碎片，同时还可有效去除模拟基板上的静电，防止模拟基板移动时发生破碎，从而提高了模拟基板的重复利用率，延长模拟基板使用寿命。

主权项

一种去除模拟基板上聚酰亚胺膜的方法，其特征在于，包括：步骤1、在设定的特征参数下，利用一组气体与模拟基板上聚酰亚胺膜发生第一次反应；步骤2、在设定的特征参数下，利用氧气的等离子体与所述第一次反应后的残余物发生第二次反应；所述设定的特征参数包括高频电源功率、压力以及气体流量；且所述步骤2中所述设定的特征参数中高频电源功率为800瓦至3000瓦，所述步骤2中所述设定的特征参数中压力为1100mTorr，所述步骤2中所述设定的特征参数中气体流量为3000sccm。