半导体装置、带有单晶半导体薄膜的基板和它们的制造方法

摘要

本发明提供在包含转印至耐热性差的绝缘基板上的单晶半导体薄膜的单晶半导体元件中，能够提高晶体管特性和减小配线电阻的半导体装置、带有单晶半导体薄膜的基板和它们的制造方法。本发明为在绝缘基板上具备包含单晶半导体薄膜的多个单晶半导体元件的半导体装置的制造方法，上述制造方法包括：热处理工序，在650℃以上对上述单晶半导体薄膜进行热处理，上述单晶半导体薄膜形成上述多个单晶半导体元件的至少一部分、且与耐热温度比上述绝缘基板的耐热温度高的中间基板接合。

主权项

一种半导体装置的制造方法，其为在绝缘基板上具备包含单晶半导体薄膜的多个单晶半导体元件的半导体装置的制造方法，该半导体装置的制造方法的特征在于，包括：热处理工序，在650℃以上对该单晶半导体薄膜进行热处理，该单晶半导体薄膜形成该多个单晶半导体元件的至少一部分、且与耐热温度比所述绝缘基板的耐热温度高的中间基板接合，还包括：第一接合工序，将半导体基板与耐热温度比所述绝缘基板的耐热温度高的所述中间基板接合，所述半导体基板形成有所述多个单晶半导体元件的至少一部分、并且具有剥离层，该剥离层注入有包含氢离子和稀有气体离子中的至少一方的剥离物质；半导体基板分离工序，通过热处理使与所述中间基板接合的该半导体基板沿该剥离层解理分离；和元件分离工序，将被解理分离且与所述中间基板接合的该半导体基板薄膜化而形成所述单晶半导体薄膜，并且将各单晶半导体元件间分离，所述热处理工序，在该元件分离工序之后，在650℃以上对所述单晶半导体薄膜和所述中间基板进行热处理。