发明名称 薄膜磁器件及其制造方法
摘要 本发明提供一种可进一步有效提高高频区域的导磁率的薄膜磁器件。形成沿着磁性膜(14B)的层叠面内的一个方向(X轴方向)延伸的狭缝(16)。此时,只在从线圈(13)的延伸区域沿其缠绕方向分割后的4个区域(位于开口(15)的上下左右的4个区域)中的相互对置一对区域(位于开口(15)的上下的2个区域)上形成各狭缝(16)。在磁性膜(14)中的被多个狭缝(16)夹持的带状区域上,在带状区域的宽度方向(X轴方向)的两端成对配置磁区(14Dh)(90°范围),并沿带状区域的长度方向(Y轴方向)排列,也可以沿带状区域的长度方向排列将该带状区域的宽度方向(易磁化轴Me方向)作为长度方向的磁区(14De)。
申请公布号 CN101071678B 申请公布日期 2012.07.18
申请号 CN200710092142.5 申请日期 2007.04.02
申请人 TDK株式会社 发明人 政井琢
分类号 H01F37/00(2006.01)I;H01F27/255(2006.01)I;H01F30/00(2006.01)I;H01F41/32(2006.01)I 主分类号 H01F37/00(2006.01)I
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人 浦柏明;刘宗杰
主权项 一种薄膜磁器件,其特征在于,具有:薄膜线圈;多个带状磁性膜,层叠在所述薄膜线圈的延伸面上,仅在四个分割区域中相互对置的一对区域上,沿一个方向延伸设置所述多个带状磁性膜,其中该四个分割区域是以缠绕成矩形形状的薄膜线圈的线圈图形的弯折部分为边界分割所述薄膜线圈的延伸区域而形成的;所述带状磁性膜的易磁化轴方向与所述带状磁性膜的宽度方向一致。
地址 日本东京