发明名称 一种负磁导率超材料
摘要 本发明涉及一种负磁导率超材料,所述超材料包括介质基板以及固定在介质基板上的微结构层,所述微结构层上周期性的阵列着微结构,所述微结构由四根长度相等的螺旋金属线等间距嵌套而成,所述微结构绕其旋转对称中心旋转90°、180°、270°后分别与初始微结构重合。在实现负磁导率的前提下,采用本发明可以有效降低超材料的谐振频率,满足一些特殊条件下对负磁导率值的要求,制成的超材料符合各向同性,本发明对于超材料产业的发展具有重要意义,具有良好的应用前景。
申请公布号 CN102593599A 申请公布日期 2012.07.18
申请号 CN201210051068.3 申请日期 2012.02.29
申请人 深圳光启创新技术有限公司 发明人 刘若鹏;赵治亚;郭洁;余铨强
分类号 H01Q15/00(2006.01)I 主分类号 H01Q15/00(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 一种负磁导率超材料,所述超材料包括介质基板以及固定在介质基板上的微结构层,其特征在于,所述微结构层上周期性的阵列着微结构,所述微结构由四根长度相等的螺旋金属线等间距嵌套而成,所述微结构绕其旋转对称中心旋转90°、180°、270°后分别与初始微结构重合。
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