| 发明名称 | 半导体器件的制备方法 | ||
| 摘要 | HfO等的介电绝缘膜由包括以下的方法形成：暴露半导体基板表面上的氟自由基，清洁该基板表面，用氟自由基或氢化物(SiH4等)进行氢封端处理，用Hf等溅射和进行氧化/氮化。这些步骤在不将基板暴露于大气下进行，因此使得可以获得具有滞后小的C-V曲线并且实现具有有利器件特性的MOS-FET。 | ||
| 申请公布号 | CN101765905B | 申请公布日期 | 2012.07.18 |
| 申请号 | CN200780053807.X | 申请日期 | 2007.05.15 |
| 申请人 | 佳能安内华股份有限公司 | 发明人 | 清野拓哉;池本学;伊达大树 |
| 分类号 | H01L21/316(2006.01)I;H01L21/304(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/316(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人 | 刘新宇;李茂家 |
| 主权项 | 一种制备半导体器件的方法，其包含：第一步，通过以下清洁半导体基板表面：引入至少包含F2或HF的气体至具有以下构造的表面清洁装置的等离子体产生室中，在所述构造中，等离子体产生室和处理室通过簇射板互相分开，从而在等离子体产生室中产生等离子体；和引入包含于来自等离子体产生室的等离子体的自由基至处理室中，同时引入至少包含H2气体或HF气体的气体至处理室中；和第二步，将已进行第一步的半导体基板表面暴露于氢化物，所述基板处在比氢化物的热分解温度低的温度下。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||