发明名称 等离子体CVD装置、等离子体CVD方法
摘要 本发明提供一种通过使等离子体集中在微粒子的附近从而能够对微粒子的表面更有效地包覆薄膜或超微粒子的等离子体CVD装置及等离子体CVD方法。该装置具备:室(13);配置于所述室内、用于收容微粒子(1)的容器且相对重力方向大致平行的剖面的内部形状为多边形的容器;屏蔽除对微粒子(1)进行收容的收容面以外的所述容器的表面的接地屏蔽构件(27);以相对所述剖面大致垂直方向为旋转轴使所述容器旋转或进行钟摆动作的旋转机构;配置在所述容器内、被配置成与所述收容面对置的对置电极(21);与所述容器电连接的等离子体电源(23);向所述容器内导入原料气体的气体导入机构;和对所述室内进行真空排气的排气机构。
申请公布号 CN101939466B 申请公布日期 2012.07.18
申请号 CN200880126354.3 申请日期 2008.02.06
申请人 友技科株式会社 发明人 本多祐二;阿部孝之
分类号 C23C16/50(2006.01)I;B01F11/00(2006.01)I;C23C16/442(2006.01)I;H05H1/46(2006.01)I 主分类号 C23C16/50(2006.01)I
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人 樊建中
主权项 一种等离子体CVD装置,具备:室;容器,其配置在所述室内,是收容微粒子或电子元件的容器,且相对重力方向大致平行的剖面的内部形状为圆形;接地屏蔽构件,其配置在所述室内,屏蔽除对所述微粒子或所述电子元件进行收容的收容面以外的所述容器的表面;旋转机构,其以相对所述剖面大致垂直方向为旋转轴使所述容器旋转或进行钟摆动作;对置电极,其配置在所述容器内,被配置成与所述收容面对置;多个接地板,其配置在所述容器内,配置在所述接地屏蔽构件的内侧,配置在所述容器的一端与所述对置电极之间;等离子体电源,其与所述容器电连接;气体导入机构,其向所述容器内导入原料气体;和排气机构,其对所述室内进行真空排气;所述多个接地板的相互间隔在5mm以下;通过利用所述旋转机构使所述容器旋转或进行钟摆动作来搅拌或旋转该容器内的微粒子或电子元件的同时利用等离子体CVD法,由此对该微粒子或该电子元件的表面包覆直径比该微粒子或该电子元件还小的超微粒子或薄膜。
地址 日本国千叶县