发明名称 一种局域化发射区结构的太阳能电池及其制备方法
摘要 一种局域化发射区结构的太阳能电池及其制备方法,涉及一种太阳能电池。局域化发射区结构的太阳能电池设有衬底,在衬底表面外延本征半导体层,本征半导体层上设有凹槽,在凹槽内通过扩散或外延等方法形成半导体层,在半导体层上分别蒸镀上电极和减反膜,在衬底底部蒸镀背电极,当衬底为p型半导体层时,半导体层为n型半导体层;当衬底为n型半导体层时,半导体层为p型半导体层。将衬底生长本征半导体层;在样品热生长或沉积一层遮挡层;在样品上表面刻出图形,去除遮挡层,刻出凹槽;在凹槽内形成半导体层,去除遮挡层形成发射区;沉积上电极,剥离;在样品上表面刻出上电极的反图形后沉积减反膜,剥离;在样品背面沉积背电极。
申请公布号 CN102593207A 申请公布日期 2012.07.18
申请号 CN201210073692.3 申请日期 2012.03.19
申请人 厦门大学 发明人 刘宝林;张玲;朱丽虹
分类号 H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/0224(2006.01)I;H01L31/075(2012.01)I;H01L31/18(2006.01)I 主分类号 H01L31/0352(2006.01)I
代理机构 厦门南强之路专利事务所 35200 代理人 马应森
主权项 一种局域化发射区结构的太阳能电池,其特征在于设有衬底,在衬底表面外延本征半导体层(i层),所述本征半导体层(i层)上设有凹槽,在凹槽内通过扩散或外延等方法形成半导体层,在半导体层上分别蒸镀上电极和减反膜,在衬底底部蒸镀背电极,当所述衬底为p型半导体层时,所述半导体层为n型半导体层;当所述衬底为n型半导体层时,所述半导体层为p型半导体层。
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