发明名称 |
一种ZnO三维同质pn结纳米阵列及其制备方法 |
摘要 |
本发明涉及ZnO三维同质pn结纳米阵列及其制备方法,该阵列的主干为垂直于衬底的一维p型ZnO纳米线,分支为径向分布的n型ZnO纳米棒。制备方法包括利用气相法在衬底上制备一维直立的ZnO纳米线阵列,通过扩散法把上述阵列转变为一维p型ZnO纳米线阵列,最后通过水热法在p型ZnO纳米阵列上生长径向分布的n型ZnO纳米棒。本发明方法简单易行,重复性高,可通过控制气相反应生长温度和液相溶液浓度来分别调节三维ZnO纳米同质pn结阵列主干和分支的长度和密度,可广泛应用于纳米光电、光催化和能量转换器件等领域。 |
申请公布号 |
CN102583227A |
申请公布日期 |
2012.07.18 |
申请号 |
CN201210064478.1 |
申请日期 |
2012.03.13 |
申请人 |
浙江大学 |
发明人 |
张宏海;吕建国;叶志镇;胡亮;杨晓朋;黄俊 |
分类号 |
B81C1/00(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I |
主分类号 |
B81C1/00(2006.01)I |
代理机构 |
杭州求是专利事务所有限公司 33200 |
代理人 |
韩介梅 |
主权项 |
一种ZnO三维同质pn结纳米阵列,其特征是该阵列的主干为垂直于衬底的一维p型ZnO纳米线,分支为径向分布的n型ZnO纳米棒。 |
地址 |
310027 浙江省杭州市西湖区浙大路38号 |