发明名称 |
一种磁光双功能同轴纳米电缆及其制备方法 |
摘要 |
本发明涉及一种磁光双功能同轴纳米电缆及其制备方法,属于纳米材料制备技术领域。本发明包括四个步骤:(1)沉淀法制备Fe3O4纳米晶;(2)沉淀法制备Eu(BA)3phen配合物;(3)配制纺丝液,以Fe3O4纳米晶、聚乙烯吡咯烷酮PVP、N,N-二甲基甲酰胺DMF和去离子水的混合液为芯层纺丝液,以Eu(BA)3phen配合物、PVP、DMF和氯仿CHCl3的混合液为壳层纺丝液;(4)制备(Fe3O4+PVP)@[Eu(BA)3phen+PVP]磁光双功能同轴纳米电缆,采用同轴静电纺丝技术,参数为:电压15kV;固化距离14cm;室温20~25℃,相对湿度为55%~65%,电缆直径为264-331nm,芯层直径为112-151nm,壳层厚度为76-90nm,长度大于500μm。这种具有磁光双功能、结构新颖的同轴纳米电缆,将在未来纳米结构器件和医疗诊断治疗中具有重要的应用。本发明的方法简单易行,可以批量生产,具有广阔的应用前景。 |
申请公布号 |
CN102592716A |
申请公布日期 |
2012.07.18 |
申请号 |
CN201110284141.7 |
申请日期 |
2011.09.23 |
申请人 |
长春理工大学 |
发明人 |
董相廷;马千里;王进贤;于文生;刘桂霞 |
分类号 |
H01B7/00(2006.01)I;H01B13/016(2006.01)I;D01D5/00(2006.01)I;D01D5/30(2006.01)I |
主分类号 |
H01B7/00(2006.01)I |
代理机构 |
|
代理人 |
|
主权项 |
一种磁光双功能同轴纳米电缆,其特征在于,电缆直径为264‑331nm,芯层直径为112‑151nm,壳层厚度为76‑90nm,长度大于500μm。 |
地址 |
130022 吉林省长春市朝阳区卫星路7089号 |