大厚度氧化层场板结构及其制造方法

摘要

一种大厚度氧化层场板结构及其制造方法，所述的方法包括以下步骤：第一步，提供硅基板，利用光刻和离子注入在该硅基板上形成掺杂区域；第二步，通过高温扩散过程将掺杂区域扩大；第三步，利用光刻和刻蚀工艺在器件有源区外侧形成由薄硅壁隔开的深沟槽阵列；第四步，利用高温氧化工艺将薄硅壁完全氧化，形成由二氧化硅壁隔开的深沟槽阵列；第五步，利用气相淀积技术在沟槽中淀积二氧化硅材料将沟槽填平；第六步，利用化学机械抛光技术将表面磨平，形成嵌入硅基板中的平面型大厚度场氧化层结构；第七步，在场氧化层上淀积一定厚度高掺杂多晶硅或金属形成场板；该大厚度氧化层场板结构包括硅基板、嵌入硅基板的大厚度场氧化层、大厚度场氧化层与器件有源区间的掺杂保护环，以及淀积在大厚度场氧化层上的高掺杂多晶硅或金属场板；它具有能有效缓解表面介质层的应力开裂，提高器件可靠性等特点。

主权项

一种大厚度氧化层场板结构的制造方法，其特征在于该方法包括以下步骤：第一步，提供硅基板，利用光刻和离子注入在该硅基板上形成掺杂区域，在硅基板上形成PN结保护环；第二步，通过高温扩散过程将掺杂区域扩大；第三步，利用光刻掩膜版在器件有源区外侧、包含部分保护环区域定义大厚度场氧化层区域和其中的深沟槽阵列图形，用刻蚀工艺形成由薄硅壁隔开的深沟槽阵列；第四步，利用高温氧化工艺将沟槽间的薄硅壁完全氧化，形成由二氧化硅壁隔开的深沟槽阵列；第五步，利用气相淀积技术在沟槽中淀积二氧化硅材料将沟槽填平；第六步，利用化学机械抛光技术将表面磨平，形成嵌入硅基板中的平面型大厚度场氧化层结构；第七步，在场氧化层上淀积一定厚度高掺杂多晶硅或金属形成场板。